标准编号：GB/T 43612-2023
标准名称：碳化硅晶体材料缺陷图谱
英文名称：Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
起草人
丁雄杰、刘薇、李素青、丁晓民、张红岩、杨昆、高伟、路亚娟、钮应喜、晏阳、吴殿瑞、李国鹏、张胜涛、夏秋良、韩景瑞、贺东江、张红、李焕婷、李斌、尹浩田、佘宗静、王阳、姚康、金向军、张新峰、赵丽丽、李国平
起草单位
广东天域半导体股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、河北同光半导体股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、南京国盛电子有限公司、新美光（苏州）半导体科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、河北普兴电子科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中电化合物半导体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、江苏卓远半导体有限公司
适用范围
本文件规定了导电型4H碳化硅（4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。
本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺）的研发、生产及检测分析等环节。