标准编号:GB/T 5201-1994
标准名称:带电粒子半导体探测器测试方法
英文名称:Test procedures for semiconductor chargedparticle detectors
起草人
起草单位
北京核仪器厂
适用范围
本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。
发布日期:1994-12-22 | 实施日期:1995-10-01
标准编号:GB/T 5201-1994
标准名称:带电粒子半导体探测器测试方法
英文名称:Test procedures for semiconductor chargedparticle detectors
北京核仪器厂
本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。
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